贵金属在GaN、SiC欧姆接触中的研究进展
摘要：
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体的两种核心材料,具有优异的热稳定性、耐高温性能以及高热导率,在高频功率器件、光电子器件等领域具有广阔的应用前景.欧姆接触是实现半导体器件应用的基础,在提高器件性能、减小电阻损耗、增强稳定性和可靠性等方面发挥着重要作用.本文综述了贵金属在 GaN 和 SiC 欧姆接触中的研究进展,讨论了贵金属在欧姆接触中的制备工艺、性能优化方法以及电学、热学等性质间的关系,详细介绍了几种典型贵金属如金、银、铂等在GaN和SiC欧姆接触中的应用和前景.
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作者：
李靖宇,李鑫,闻明,李思勰,王传军
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刊名：
贵金属
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年期：
2025.2
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